Art

J-GLOBAL ID：200902198581540074   Reference number：94A0313916

High Performance 0.1μm CMOS Devices with 1.5V Power Supply.

1.5V電源電圧をもちいた高性能な0.1μmCMOSデバイス

Author (9)： TAUR Y (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.) ,  WIND S (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.) ,  MII Y J (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.) ,  LII Y (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.) ,  MOY D (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.) ,  JENKINS K A (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.) ,  CHEN C L (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.) ,  COANE P J (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.) ,  POLCARI M (IBM T.J. Watson Research Center, N.Y.)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1993  Page： 127-130  Publication year： 1993 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： channel-length

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0313916&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (1)： 電源電圧