Reactive ion etching of GaN using BCl<sub>3</sub>.

LIN M E; FAN Z F; MA Z; ALLEN L H; MORKOC H

Art

J-GLOBAL ID：200902198938905122 Reference number：94A0233627

Reactive ion etching of GaN using BCl₃.

BCl₃を使用したGaNの反応性イオンエッチング

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Volume： 64 Issue： 7 Page： 887-888 Publication year： Feb. 14, 1994
JST Material Number： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB Document type： Article
Article type：短報 Country of issue： United States (USA) Language： ENGLISH (EN)

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Reactive ion etching of GaN using BCl3.

Reactive ion etching of GaN using BCl₃.