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J-GLOBAL ID：200902199203119286   Reference number：98A0654637

Terminating Structure of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial GaN{0001} Film Surface Identified by Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy.

プラズマ援助分子ビームエピタキシャルGaN{0001}膜表面の終端構造の同軸衝突イオン散乱分光による同定

Author (5)： SHIMIZU S (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI Y (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NISHIHARA T (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN) ,  HAYASHI S (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHINOHARA M (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 6B  Page： L703-L705  Publication year： Jun. 15, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (10)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353
• 2) T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, R. J. Graham and J. Scanlon: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 944
• 3) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 4) T. D. Moustakas, T. Lei and R. J. Molnar: Physica B 185 (1993) 36.
• 5) J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheffler and J. E. Northrup: Proc. 2nd Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima, 1997, p. 216.

Terms in the title (10)： プラズマ ,  援助 ,  分子ビーム ,  エピタキシャル ,  GaN ,  終端 ,  同軸 ,  衝突 ,  イオン散乱分光 ,  同定