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J-GLOBAL ID：200902199227330328   Reference number：02A0521535

Comparative Study of Defect Densities Evaluated by Electron Spin Resonance and Constant Photocurrent Method in Undoped and N-Doped Hydrogenated Amorphous Silicon.

アンドープおよびN-ドープの水素化非晶質シリコンにおける電子スピン共鳴および一定光電流法によって評価した欠陥密度の比較研究

Author (3)： SHIMIZU T (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SHIMADA M (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KUMEDA M (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 5A  Page： 2829-2833  Publication year： May. 15, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *defect density ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (15)：

• 1) R. A. Street: Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1991).
• 2) M. Kumeda, J. H. Zhou and T. Shimizu: 1994 IEEE First World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (IEEE, 1994) p. 634.
• 3) N. Hata, I. S. Osbourne, T. Ikeda, R. Durny and A. Matsuda: J. Non-Cryst. Solids 198-200 (1996) 415.
• 4) T. Shimizu, M. Shimada, H. Sugiyama and M. Kumeda: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 54.
• 5) T. Shimizu, H. Kidoh, A. Morimoto and M. Kumeda: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 586.

Terms in the title (8)： ドープ ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  電子スピン共鳴 ,  光電流 ,  評価 ,  欠陥密度 ,  研究