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J-GLOBAL ID：200902199294271450   Reference number：00A0193187

Fixed oxide charge in n-type silicon wafers studied by ac surface photovoltage technique.

ac表面光起電力法により研究したn型シリコンウエハの固定酸化物電荷

Author (2)： MUNAKATA C (Tohoku Inst. Technol., Sendai, JPN) ,  SHIMIZU H (Nihon Univ., Fukushima, JPN)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 15  Issue： 1  Page： 40-43  Publication year： Jan. 2000 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (7)： Ac ,  表面光起電力 ,  研究 ,  N型シリコン ,  ウエハ ,  酸化物 ,  電荷