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J-GLOBAL ID：200902199707006474   Reference number：01A0701764

Formation mechanism of Al-segregated region in InAlAs/(110)InP.

InAlAs/(110)InPにおけるAlの偏析領域の形成機構

Author (5)： KANGAWA Y (Gakushuin Univ., Tokyo, JPN) ,  WAKIZONO K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUWANO N (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OKI K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ITO T (Mie Univ., Mie, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 229  Page： 164-168  Publication year： Jul. 2001 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： arsenide ,...
Semi thesaurus term： ひ化アルミニウムインジウム

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： InAlAs ,  InP ,  Al ,  偏析