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J-GLOBAL ID：200902199805636931   Reference number：02A0475803

Vertical scaling of carbon nanotube field-effect transistors using top gate electrodes.

トップゲート電極を用いたカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの垂直スケーリング

Author (5)： WIND S J (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  APPENZELLER J (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  MARTEL R (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  DERYCKE V (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  AVOURIS P (IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 80  Issue： 20  Page： 3817-3819  Publication year： May. 20, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nanotube ,...
Semi thesaurus term： transconductance

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JST classification (2)： Atomic and molecular clusters  (BH09030O) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： トップ ,  ゲート電極 ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  垂直 ,  スケーリング