Art

J-GLOBAL ID：200902199880987774   Reference number：94A0163672

P-MOSFET’s with Ultra-Shallow Solid-Phase-Diffused Drain Structure Produced by Diffusion from BSG Gate-Sidewall.

BSGゲート側壁からの拡散により製作された超浅固相拡散ドレイン構造を持つp-MOSFET

Author (9)： SAITO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHITOMI T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HARA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ONO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  AKASAKA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NII H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MATSUDA S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SASAKI MOMOSE H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  IWAI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 40  Issue： 12  Page： 2264-2272  Publication year： Dec. 1993 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0163672&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： ゲート ,  側壁 ,  拡散 ,  製作 ,  固相拡散 ,  ドレイン ,  MOSFET