Art

J-GLOBAL ID：200902200194956925   Reference number：09A0214455

Thermally Activated Longitudinal Optical Phonon Scattering of a 3.8THz GaAs Quantum Cascade Laser

3.8THz GaAs量子カスケードレーザの熱活性化縦光学フォノン散乱

Author (3)： LIN Tsung-Tse (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHTANI Keita (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 2  Issue： 2  Page： 022102.1-022102.3  Publication year： Feb. 25, 2009 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,  gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  activation ,  *phonon ,  *scattering ,  electric current ,  temperature dependence ,  electromagnetic wave ,  *quantum cascade laser ,  terahertz wave ,  *optical phonon ,  *phonon scattering ,  threshold current
Semi thesaurus term： 熱活性化

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (20)：

• FAIST, J. Science. 1994, 264, 553
• KOHLER, R. Nature. 2002, 417, 156
• WALTHER, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 131122
• TREDICUCCI, A. Proc. SPIE. 2005, 5738, 146
• WILLIAMS, B. S. Electron. Lett. 2006, 42, 89

Terms in the title (5)： GaAs ,  量子カスケードレーザ ,  熱活性化 ,  縦光学フォノン ,  散乱