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J-GLOBAL ID：200902200528982094   Reference number：06A1036457

Mapping of dopant concentration in a GaAs semiconductor by off-axis phase-shifting electron holography

軸外し位相シフト電子ホログラフィーによるGaAs半導体中ドーパント濃度分布測定

Author (8)： SASAKI H. (Material R&D Lab., Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya 456-8587, JPN) ,  YAMAMOTO K. (Material R&D Lab., Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya 456-8587, JPN) ,  HIRAYAMA T. (Material R&D Lab., Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya 456-8587, JPN) ,  OOTOMO S. (Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  MATSUDA T. (Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  IWASE F. (Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  NAKASAKI R. (Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  ISHII H. (Yokohama R&D Lab., The Furukawa Electric Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 89  Issue： 24  Page： 244101-244101-3  Publication year： Dec. 11, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Holography ,...

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JST classification (1)： Other holography  (BD03073D)

Terms in the title (5)： 位相シフト ,  電子ホログラフィー ,  GaAs ,  ドーパント ,  濃度分布