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J-GLOBAL ID：200902201365817801   Reference number：06A0630896

Local epitaxial growth of aluminum nitride and molybdenum thin films in fiber texture using aluminum nitride interlayer

窒化アルミニウム中間層を用いた繊維組織中の窒化アルミニウムおよびモリブデン薄膜に関する局所エピタキシャル成長

Author (5)： KAMOHARA Toshihiro (On-site Sensing and Diagnosis Res. Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 807-1 Shuku ...) ,  AKIYAMA Morito (On-site Sensing and Diagnosis Res. Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 807-1 Shuku ...) ,  UENO Naohiro (On-site Sensing and Diagnosis Res. Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 807-1 Shuku ...) ,  NONAKA Kazuhiro (On-site Sensing and Diagnosis Res. Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 807-1 Shuku ...) ,  KUWANO Noriyuki (Sci. and Technol. Center for Cooperative Res., Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 89  Issue： 7  Page： 071919-071919-3  Publication year： Aug. 14, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (6)： 窒化アルミニウム ,  中間層 ,  繊維組織 ,  モリブデン ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長