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J-GLOBAL ID：200902201434127006   Reference number：09A0904282

Strain evolution in Si substrate due to implantation of MeV ion observed by extremely asymmetric x-ray diffraction

極度非対称X線回折で観測されたMeVイオンのイオン注入によるSi基板中の歪展開

Author (4)： EMOTO T. (Dep. of Physics, Toyota National Coll. of Technol., 2-1, Eisei-cho, Toyota 471-8525, JPN) ,  GHATAK J. (Inst. of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751005, IND) ,  SATYAM P. V. (Inst. of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751005, IND) ,  AKIMOTO K. (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Naoyga 464-8603, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 106  Issue： 4  Page： 043516  Publication year： Aug. 15, 2009 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *wafer ,  semiconductor material ,  *ion implantation ,  *X-Ray Diffraction ,  strain measurement ,  crystal lattice ,  surface ,  rocking curve ,  dependence ,  exposure radiation dose ,  *complex defect ,  *strain distribution ,  1-10MeV ,  silicon ,  *Si wafer ,  fluence dependency ,  measurement
Semi thesaurus term： *silicon substrate ,  dose dependency

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (8)： 非対称 ,  X線回折 ,  観測 ,  イオン ,  イオン注入 ,  Si基板 ,  歪 ,  展開