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J-GLOBAL ID：200902202743318440   Reference number：05A0202432

Growth Process of High Quality Silicon Based Amorphous Semiconductor Films

高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の成長プロセスに関する研究

Author (4)： MOTOHASHI MITSUYA (東京電機大 工) ,  ASHIBU KENTA (東京電機大 工) ,  HIRUTA YASUTAKA (東京電機大 工) ,  HONMA KAZUAKI (東京電機大 工)
Material： 東京電機大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute for Science and Technology, Tokyo Denki University)
Issue： 23  Page： 61-68  Publication year： Jul. 31, 2004 
JST Material Number： L0877A  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *amorphous semiconductor ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 高品質 ,  シリコン ,  アモルファス ,  半導体薄膜 ,  成長 ,  プロセス ,  研究