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J-GLOBAL ID：200902203054886454   Reference number：05A0982673

In situ hole doping of wide-gap semiconductors by dual-target simultaneous laser ablation: GaN and SiC epitaxial films

2重標的同時レーザアブレーションによる広ギャップ半導体のその場正孔ドーピング GaNとSiCエピタキシャル膜

Author (4)： MUTO Hachizo (Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...) ,  ASANO Takashi (Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...) ,  WANG Rong-ping (Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...) ,  KUSUMORI Takeshi (Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 87  Issue： 16  Page： 162106-162106-3  Publication year： Oct. 17, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： laser ablation ,...

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JST classification (4)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (7)： 標的 ,  レーザアブレーション ,  ギャップ ,  正孔ドーピング ,  GaN ,  SiC ,  エピタキシャル膜