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J-GLOBAL ID：200902203418100397   Reference number：04A0267361

Current-induced domain-wall switching in a ferromagnetic semiconductor structure

強磁性半導体構造における電流に誘起された磁壁スイッチング

Author (4)： YAMANOUCHI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHIBA D (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUKURA F (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 428  Issue： 6982  Page： 539-542  Publication year： Apr. 01, 2004 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ferromagnetic semiconductor ,...

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JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Terms in the title (4)： 強磁性半導体 ,  誘起 ,  磁壁 ,  スイッチング