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J-GLOBAL ID：200902203527063361   Reference number：03A0169472

Performance of Gamma Irradiated P-Channel 6H-SiC MOSFETs: High Total Dose.

ガンマ照射したpチャンネル6H-SiC MOSFETの性能 高い総線量

Author (3)： LEE K K (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  OHSHIMA T (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  ITOH H (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 50  Issue： 1,Pt.2  Page： 194-200  Publication year： Feb. 2003 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gamma-ray irradiation ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (4)： チャンネル ,  6H-SiC ,  MOSFET ,  総線量