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J-GLOBAL ID：200902203952564854   Reference number：08A0578567

Quantitative Evaluation of Statistical Variability Sources in a 45-nm Technological Node LP N-MOSFET

45nm技術ノードLP N-MOSFETの統計的変動源の定量評価

Author (8)： CATHIGNOL Augustin (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CATHIGNOL Augustin (IMEP-LAHC, Grenoble, FRA) ,  CHENG B. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  CHANEMOUGAME D. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BROWN A. R. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  ROCHEREAU K. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GHIBAUDO G. (IMEP-LAHC, Grenoble, FRA) ,  ASENOV A. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 29  Issue： 6  Page： 609-611  Publication year： Jun. 2008 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantitative analysis ,  *MOSFET ,  dopant ,  polycrystal ,  silicon ,  grain boundary ,  Fermi level ,  pinning ,  *variability ,  *statistical estimation ,  electric potential distribution ,  CAD ,  calibration
Semi thesaurus term： TCAD

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： ノード ,  LP ,  MOSFET ,  統計 ,  定量評価