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J-GLOBAL ID：200902204115364002   Reference number：04A0656942

A High Breakdown Voltage IC with Lateral Power Device based on SODI structure

SODI構造をベースとする横型パワーデバイスによる高破壊電圧IC

Author (5)： AKIYAMA H (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  YASUDA N (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  MORITANI J (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  TAKANASHI K (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  MAJUMDAR G (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
Material： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's)
Volume： 16th  Page： 375-378  Publication year： 2004 
JST Material Number： W1300A  ISSN： 1943-653X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *power transistor ,...
Semi thesaurus term： SODI構造 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 横型 ,  パワーデバイス ,  破壊電圧 ,  IC