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J-GLOBAL ID：200902204667987110   Reference number：09A0125800

Crystal and electronic band structure of Cu₂ZnSnX₄ (X=S and Se) photovoltaic absorbers: First-principles insights

Cu₂ZnSnX₄(X=SおよびSe)光起電吸収材の結晶構造と電子バンド構造:第一原理洞察

Author (4)： CHEN Shiyou (Dep. of Physics and Surface Sci. Lab., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  GONG X. G. (Dep. of Physics and Surface Sci. Lab., Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  WALSH Aron (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA) ,  WEI Su-huai (National Renewable Energy Lab., Golden, Colorado 80401, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 94  Issue： 4  Page： 041903  Publication year： Jan. 26, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,  copper compound ,  zinc compound ,  tin compound ,  sulfide (chalcogenide) ,  selenide (chalcogenide) ,  photovoltage ,  *crystal structure ,  electronic structure ,  state density ,  first principle ,  pseudopotential method ,  *band gap ,  ordering ,  cation ,  projector-augmented-wave method
Semi thesaurus term： PW91 ,  一般化勾配近似

JST classification (2)： Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (6)： Se ,  吸収材 ,  結晶構造 ,  電子バンド構造 ,  第一原理 ,  洞察