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J-GLOBAL ID：200902204792727014   Reference number：09A0995572

(Sr,Ce)-Bi-(Ta,W)-Si-O系強誘電体の強誘電特性と結晶・電子構造

Author (3)： MUROI RYO (東京理大 理工) ,  KITAMURA NAOTO (東京理大 理工) ,  IDEMOTO YASUSHI (東京理大 理工)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 70th  Issue： 2  Page： 513  Publication year： Sep. 08, 2009 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： strontium compound ,  tantalate ,  *bismuth compound ,  cerium compound ,  tungstate ,  silicon compound ,  oxide ,  solid solution ,  *ferroelectrics ,  residual polarization ,  coercive electric field ,  *ferroelectricity ,  permittivity ,  temperature dependence ,  spontaneous polarization ,  ferroelectric random access memory ,  X-ray diffraction ,  *crystal structure
Semi thesaurus term： bismuth strontium tantalate ,  hysteresis loop

JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y)

Terms in the title (9)： Sr ,  Ce ,  Bi ,  Ta ,  Si ,  強誘電体 ,  強誘電特性 ,  結晶 ,  電子構造