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J-GLOBAL ID：200902205490425414   Reference number：08A0099789

Effect of Nitrogen Inclusion into Hf-Al-O Layer on Device Properties of Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Hf-Al-O/Si Diodes

Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Hf-Al-O/Siダイオードの素子特性に及ぼすHf-Al-O層への窒素導入の効果

Author (6)： HORIUCHI TAKESHI (産業技術総合研) ,  HORIUCHI TAKESHI (金沢工大) ,  OHASHI KENTARO (金沢工大) ,  TAKAHASHI MITSUE (産業技術総合研) ,  SAKAI SHIGEKI (産業技術総合研) ,  SAKAI SHIGEKI (金沢工大)
Material： 粉体および粉末冶金  (Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy)
Volume： 55  Issue： 1  Page： 17-20  Publication year： Jan. 15, 2008 
JST Material Number： F0691A  ISSN： 0532-8799  CODEN： FOFUA2  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,...
Semi thesaurus term： *MFIS structure ,...

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (12)：

• TARUI, Y. Application of The Ferroelectric Materials to ULSI Memories. Appl. Surf. Sci. 1997, 113/114, 656-663
• ISHIWARA, H. Eds. Recent Progress in Ferroelectric Memories. 2004
• OKUYAMA, M. Eds. Ferroelectric Thin Films Basic Properties and Device Physics for Memory Applications. 2005
• SAKAI, S. Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Memory FET with Long Retention and High Endurance. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 369-371
• SAKAI, S. Long-Retention Ferroelectric-Gate FET with a (HfO_2)_x(Al_2O_3)_<1-x> Buffer-Insulating Layer for 1T FeRAM. IEDM Tech. Dig., 2004. 2004, 915

Terms in the title (8)： Pt ,  HF ,  Al ,  Si ,  ダイオード ,  素子特性 ,  O層 ,  窒素