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J-GLOBAL ID：200902206124289148   Reference number：09A0151588

The Influence of Morphology on High-Performance Polymer Field-Effect Transistors

高性能高分子FETにおよぼす形状の影響

Author (7)： TSAO Hoi Nok (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  CHO Don (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  ANDREASEN Jens Wenzel (Technical Univ. Denmark, Roskilde, DNK) ,  ROUHANIPOUR Ali (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  BREIBY Dag W. (Norwegian Univ. Sci. and Technol., Trondheim, NOR) ,  PISULA Wojciech (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU) ,  MUELLEN Klaus (Max Planck Inst. Polymer Res., Mainz, DEU)
Material： Advanced Materials  (Adv Mater (Deerfield, Fla.))
Volume： 21  Issue： 2  Page： 209-212  Publication year： Jan. 12, 2009 
JST Material Number： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *polymer membrane ,  wafer ,  silicon oxide ,  *alternating copolymer ,  gold electrode ,  laminate structure ,  *FET ,  atomic force microscope ,  small angle X-ray scattering ,  X-ray scattering ,  large-angle scattering ,  current-voltage characteristic ,  surface layer structure ,  dependence ,  molecular orientation ,  carrier mobility ,  time course ,  *polythiophenes ,  molecular weight dependence ,  Si wafer ,  WAXS
Semi thesaurus term： Silicon substrate ,  wide angle X-ray scattering ,  *OFET

JST classification (3)： Physical properties of polymer solids  (CG02024U) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Substance index (4)： 2,1,3-Benzothiadiazole ,  Phenyltriethoxysilane ,  2,6-Dibromo-4,4-dihexadecyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b′]dithiophene ,  4,7-Bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborole-2-yl)-2,1,3-benzothiadiazole

Terms in the title (2)： 高性能高分子 ,  FET