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J-GLOBAL ID：200902206371008887   Reference number：04A0803859

Piezoelectric Carrier Confinement by Lattice Mismatch at ZnO/Zn_0.6Mg_0.4O Heterointerface

ZnO/Zn_0.6Mg_0.4Oヘテロ界面における格子不整合によるピエゾ電気キャリアー閉じ込め

Author (9)： KOIKE K (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  HAMA K (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  NAKASHIMA I (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  TAKADA G (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  OZAKI M (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  OGATA K (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  SASA S (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  INOUE M (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YANO M (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 10B  Page： L1372-L1375  Publication year： Oct. 15, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (18)：

• 1) J. F. Sarver, F. L. Katnack and F. A. Hummel: J. Electrochem. Soc. 106 (1959) 960.
• 2) K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, G. Takada, K. Ogata, S. Sasa, M. Inoue and M. Yano: submitted to J. Cryst. Growth.
• 3) M. Yano, K. Ogata, F. P. Yan, K. Koike, S. Sasa and M. Inoue: Proc. Mater. Res. Soc. Symp. Progress in Semiconductors II - Electronic and Optoelectronic Applications, Boston, 2003 (University Microfilms, Michigan, 2003) p. 75.
• 4) A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda and Y. Segawa: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 2466.
• 5) T. Makino, C. H. Chia, N. T. Tuan, H. D. Sun, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura and H. Koinuma: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 975.

Terms in the title (6)： ZnO ,  ヘテロ界面 ,  格子不整合 ,  ピエゾ電気 ,  キャリアー ,  閉じ込め