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J-GLOBAL ID：200902206464160514   Reference number：09A0052708

Molecular-Based Synthetic Approach to New Group IV Materials for High-Efficiency, Low-Cost Solar Cells and Si-Based Optoelectronics

新しいIV族物質の分子前駆体からの合成と高効率・低価格太陽電池及びSi系オプトエレクトロニクスへの利用

Author (8)： FANG Yan-Yan (Arizona State Univ., Arizona) ,  XIE Junqi (Arizona State Univ., Arizona) ,  TOLLE John (Arizona State Univ., Arizona) ,  ROUCKA Radek (Arizona State Univ., Arizona) ,  D'COSTA Vijay R. (Arizona State Univ., Arizona) ,  CHIZMESHYA Andrew V. G. (Arizona State Univ., Arizona) ,  MENENDEZ Jose (Arizona State Univ., Arizona) ,  KOUVETAKIS John (Arizona State Univ., Arizona)
Material： Journal of the American Chemical Society  (J Am Chem Soc)
Volume： 130  Issue： 47  Page： 16095-16102  Publication year： Nov. 26, 2008 
JST Material Number： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *germanium compound ,  *silicon compound ,  *tin compound ,  intermetallic compound ,  *alloy ,  solar cell ,  optoelectronics ,  photonic band gap ,  band gap ,  hydride ,  chemical vapor deposition ,  crystal structure ,  current-voltage characteristic ,  quantum well ,  solid state device ,  overlayer ,  light-emitting device
Semi thesaurus term： photonic band-gap ,  light-emitting device ,  barrier layer

JST classification (2)： Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D) ,  Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (8)： 物質 ,  分子 ,  前駆体 ,  高効率 ,  低価格 ,  太陽電池 ,  Si ,  オプトエレクトロニクス