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J-GLOBAL ID：200902206618827304   Reference number：08A0557468

Memory Effects in Poly(3-hexylthiophene) Field-Effect Transistors with Floating Gate

浮動ゲートを有するポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスター中でのメモリー効果

Author (4)： KANETO Keiichi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MORI Keiko (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MORITA Takeomi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TAKASHIMA Wataru (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 2 Issue 2  Page： 1382-1384  Publication year： Feb. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： floating gate ,  *poly(hexylthiophene) ,  organic semiconductor ,  FET ,  memory effect ,  polyimide ,  insulating film ,  *memory element ,  Aluminum ,  Calcium ,  current-voltage characteristic ,  drain (semiconductor) ,  electric current ,  decay time ,  photoirradiation ,  gate (semiconductor) ,  voltage ,  trapping center

JST classification (2)： Memory units  (JC04060F) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Reference (16)：

• Y. Noguchi, T. Sekitani, and T. Someya: Appl. Phys. Lett.89(2006)253507.
• H. Sirringhaus, T. Kawase, F. H. Fiend, T. Simoda, M. Inbasekaran, W. Wu, and E. P. Woo: Science 290(2000)2123.
• K. Kaneto, W. Lim, W. Takashima, T. Endo, and M. Rikukawa: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000) L872.
• S. Ogawa, Y. Kimura, H. Ishii, and M. Niwano: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003) L275.
• C. Adachi, T. Tsutsui, and S. Saito: Appl. Phys. Lett.55(1989)1489.

Terms in the title (4)： 浮動ゲート ,  3-ヘキシルチオフェン ,  電界効果トランジスター ,  メモリー効果