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J-GLOBAL ID：200902206921339363   Reference number：08A0218314

Origins of 1/f noise in individual semiconducting carbon nanotube field-effect transistors

個々の半導性カーボンナノチューブ電界効果トランジスタにおける1/f雑音の起源

Author (7)： TOBIAS David (Univ. Maryland, Maryland, USA) ,  ISHIGAMI Masa (Univ. Maryland, Maryland, USA) ,  TSELEV Alexander (Georgetown Univ., Washington DC, USA) ,  BARBARA Paola (Georgetown Univ., Washington DC, USA) ,  WILLIAMS Ellen D. (Univ. Maryland, Maryland, USA) ,  LOBB Christopher J. (Univ. Maryland, Maryland, USA) ,  FUHRER Michael S. (Univ. Maryland, Maryland, USA)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 77  Issue： 3  Page： 033407.1-033407.4  Publication year： Jan. 2008 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductivity ,  *carbon nanotube ,  *FET ,  temperature dependence ,  fluctuation ,  activation energy ,  carrier density ,  lattice defect ,  physical adsorption ,  *1/f noise

JST classification (2)： Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Terms in the title (4)： 半導性 ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  雑音 ,  起源