Art

J-GLOBAL ID：200902207374961255   Reference number：08A0124060

GaN-Based RF Power Devices and Amplifiers

GaNをベースとした高周波電力素子及び増幅器

Author (4)： MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA) ,  SHEN Likun (Univ. California, CA, USA) ,  KAZIOR Thomas E. (Raytheon RF Components, MA, USA) ,  WU Yi-Feng (CREE Inc., CA, USA)
Material： Proceedings of the IEEE  (Proc IEEE)
Volume： 96  Issue： 2  Page： 287-305  Publication year： Feb. 2008 
JST Material Number： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： power amplifier ,  *high frequency amplifier ,  *gallium nitride ,  *HEMT ,  microwave transistor ,  MMIC ,  transistor ,  power electronics ,  *power transistor ,  band gap
Semi thesaurus term： forbidden band ,  ミリ波トランジスタ

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Amplification circuits  (NC05040U)

Terms in the title (4)： GaN ,  高周波 ,  電力素子 ,  増幅器