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J-GLOBAL ID：200902207709994722   Reference number：03A0630807

大容量(30・50A/600V)DIP-IPMのパッケージ構造技術

Author (4)：
KAWAFUJI HISASHI

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(福菱セミコンエンジニアリング)

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UCHIDA KIYOHIRO

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UEDA TETSUYA

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HAYASHI KEN'ICHI

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(三菱電機 生産技セ)

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Material：
三菱電機技報

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Volume： 77  Issue： 9  Page： 579-582  Publication year： Sep. 25, 2003 
JST Material Number： F0198A  ISSN： 0369-2302  CODEN： MTDNAF  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)
Thesaurus term：
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*IGBT

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Semi thesaurus term：
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inverter

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JST classification (1)：
JST classification
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Transistors 
(NC03070N)

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Terms in the title (4)：
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大容量

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DIP

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IPM

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パッケージ構造

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