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J-GLOBAL ID：200902207768399455   Reference number：04A0325636

Polythiophene-based field-effect transistors with enhanced air stability

空気安定性の高いポリチオフェン系電界効果トランジスタ

Author (5)： ONG B (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN) ,  WU Y (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN) ,  JIANG L (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN) ,  LIU P (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN) ,  MURTI K (Xerox Res. Centre of Canada, Ont., CAN)
Material： Synthetic Metals  (Synth Met)
Volume： 142  Issue： 1/3  Page： 49-52  Publication year： Apr. 13, 2004 
JST Material Number： C0123B  ISSN： 0379-6779  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *polythiophenes ,...
Semi thesaurus term： P3HT

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Homopolymerization  (CG04020S) ,  Physical properties of polymer solids  (CG02024U)

Substance index (1)： 5,5′′-Dibromo-3′,4′-didecyl-2,2′:5′,2′′-terthiophene

Terms in the title (3)： 安定性 ,  ポリチオフェン ,  電界効果トランジスタ