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J-GLOBAL ID：200902207833285071   Reference number：06A0324294

Enhancement of the Electron-Hole BCS Order by Energy Band Anisotropy in Highly Photoexcited Semiconductors

高度に光励起した半導体中のエネルギーバンド異方性による電子-正孔BCS秩序の増強

Author (4)： MIZOO Kazumasa (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara) ,  INAGAKI Takeshi J. (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara) ,  UESHIMA Yutaka (Japan Atomic Energy Agency, Kyoto) ,  AIHARA Masaki (Nara Inst. Sci. and Technol., Nara)
Material： Journal of the Physical Society of Japan  (JPSJ)
Volume： 75  Issue： 4  Page： 044401.1-044401.4  Publication year： Apr. 15, 2006 
JST Material Number： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： optical pumping ,...
Semi thesaurus term： valence band ,...

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JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Reference (33)：

• FORTIN, E. Phys. Rev. Lett. 1993, 70, 3951
• KONDO, H. J. Lumin. 1996, 66-67, 448
• KONDO, H. Phys. Rev. B. 1998, 58, 13835
• SNOKE, D. Nature. 2002, 418, 754
• SNOKE, D. Science. 2002, 298, 1368

Terms in the title (7)： 光励起 ,  エネルギーバンド ,  異方性 ,  電子 ,  正孔 ,  BCS ,  増強