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J-GLOBAL ID：200902208082962591   Reference number：04A0190048

Chemical etching-induced defects in n-type ZnSe crystal grown by physical vapor transport

物理的蒸気輸送によって成長したn型ZnSe中の化学エッチング誘起欠陥

Author (6)： YONETA M (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  KATO H (Stanley Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  YOSHINO K (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  OHISHI M (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  SAITO H (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN) ,  OHMORI K (Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN)
Material： Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002  (Physica Status Solidi)
Page： 635-639  Publication year： 2003 
JST Material Number： K20030106  ISSN： 1610-1634  ISBN： 3-527-40435-X  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： chemical etching

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Substance index (1)： Methanol

Terms in the title (8)： 物理 ,  蒸気 ,  輸送 ,  成長 ,  ZnSe ,  化学エッチング ,  誘起 ,  欠陥