Art

J-GLOBAL ID：200902208601012962   Reference number：03A0737727

Low-threshold CW GaInNAsSb/GaAs laser at 1.49μm.

1.49μmにおける低しきい値CW GaInNAsSb/GaAsレーザ

Author (6)： BANK S R (Stanford Univ., CA, USA) ,  WISTEY M A (Stanford Univ., CA, USA) ,  YUEN H B (Stanford Univ., CA, USA) ,  GODDARD L L (Stanford Univ., CA, USA) ,  HA W (Stanford Univ., CA, USA) ,  HARRIS J S JR (Stanford Univ., CA, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 39  Issue： 20  Page： 1445-1446  Publication year： Oct. 02, 2003 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor laser ,...
Semi thesaurus term： GaInNAsSbレーザ ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (4)： しきい値 ,  CW ,  GaAs ,  レーザ