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J-GLOBAL ID：200902208638843562   Reference number：07A0869839

Deep Ultraviolet Light-Emitting Hexagonal Boron Nitride Synthesized at Atmospheric Pressure

大気圧で合成した深紫外発光六方窒化ほう素

Author (4)： KUBOTA Yoichi (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Kenji (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TSUDA Osamu (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN)
Material： Science
Volume： 317  Issue： 5840  Page： 932-934  Publication year： Aug. 17, 2007 
JST Material Number： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *boron nitride ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (3)： 大気圧 ,  深紫外 ,  窒化ほう素