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J-GLOBAL ID：200902209175342786   Reference number：06A0566103

Selective growth of high quality InAs quantum dots in narrow regions using in situ mask

その場マスクを用いる狭い領域の高品質InAs量子ドットの選択成長

Author (9)： OHKOUCHI Shunsuke (The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN) ,  NAKAMURA Yusui (The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN) ,  NAKAMURA Yusui (Kumamoto Univ., 2-39-1 Kurokami, Kumamoto 860-8555, JPN) ,  NAKAMURA Hitoshi (The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN) ,  IKEDA Naoki (The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN) ,  SUGIMOTO Yoshimasa (The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN) ,  SUGIMOTO Yoshimasa (Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, JPN) ,  ASAKAWA Kiyoshi (The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN) ,  ASAKAWA Kiyoshi (Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 293  Issue： 1  Page： 57-61  Publication year： Jul. 15, 2006 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： マスク ,  高品質 ,  InAs量子ドット ,  選択成長