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J-GLOBAL ID：200902209235867018   Reference number：06A0135299

Thermal and optical properties of bulk GaN crystals fabricated through hydride vapor phase epitaxy with void-assisted separation

ボイド援助分離を用いた水素化物気相成長法によって作製したバルクGaN結晶の熱的ならびに光学的性質

Author (7)： OSHIMA Yuichi (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  SUZUKI Takayuki (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  ERI Takeshi (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  KAWAGUCHI Yusuke (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  WATANABE Kazutoshi (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  SHIBATA Masatomo (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN) ,  MISHIMA Tomoyoshi (Materials Res. Center, Advanced Technol. Lab., Hitachi Cable, Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki 300-0026, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 98  Issue： 10  Page： 103509-103509-4  Publication year： Nov. 15, 2005 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (3)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Specific heat and thermal conduction in general  (BL05021E) ,  Other thermal properties of non-metals  (BL05040J)

Terms in the title (9)： ボイド ,  援助 ,  水素化物 ,  気相成長 ,  作製 ,  バルク ,  GaN ,  結晶 ,  光学的性質