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J-GLOBAL ID：200902209739279230   Reference number：04A0687436

Low-Voltage SOI CMOS Device Technology using Vth Controlling

しきい値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術

Author (4)： MAEKAWA SHIGETO (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  IPPOSHI TAKASHI (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  INUISHI MASAHIDE (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  OJI YUZURU (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 104  Issue： 251(ICD2004 82-96)  Page： 19-23  Publication year： Aug. 20, 2004 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *CMOS structure ,...
Semi thesaurus term： SOI

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  General  (NC03161C)

Terms in the title (2)： しきい値電圧 ,  低電圧