Art

J-GLOBAL ID：200902210027934427   Reference number：07A0138695

High-performance ZnO/ZnMgO field-effect transistors using a hetero-metal-insulator-semiconductor structure

ヘテロ金属-絶縁体-半導体構造を用いた高性能ZnO/ZnMgO電界効果トランジスタ

Author (5)： SASA Shigehiko (Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN) ,  OZAKI Masashi (Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN) ,  KOIKE Kazuto (Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN) ,  YANO Mitsuaki (Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN) ,  INOUE Masataka (Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 89  Issue： 5  Page： 053502-053502-3  Publication year： Jul. 31, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...
Semi thesaurus term： *field effect transistor ,...

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JST classification (4)： Transistors  (NC03070N) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 金属-絶縁体-半導体構造 ,  高性能 ,  ZnO ,  電界効果トランジスタ