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J-GLOBAL ID：200902210238546130   Reference number：08A0137887

Nanoampere charge pump by single-electron ratchet using silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

シリコンのナノワイヤーを基本とする金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターを用いた単電子ラチェットによるナノアンペアの電荷ポンプ

Author (3)： FUJIWARA Akira (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  NISHIGUCHI Katsuhiko (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  ONO Yukinori (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 4  Page： 042102  Publication year： Jan. 28, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,  nanowire ,  *MOSFET ,  electric charge ,  *excitation(physics) ,  source ,  electron capture ,  drain(semiconductor) ,  potential ,  frequency ,  transport phenomenon ,  electric current

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： シリコン ,  ナノワイヤー ,  酸化物 ,  電界効果トランジスター ,  電子 ,  ラチェット ,  アンペア ,  電荷ポンプ