Art

J-GLOBAL ID：200902210953083686   Reference number：07A1018092

Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence

光ルミネセンスによって測定するInGaNのAuger再結合

Author (6)： SHEN Y. C. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Rd., San Jose, Califorina 95131, USA) ,  MUELLER G. O. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Rd., San Jose, Califorina 95131, USA) ,  WATANABE S. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Rd., San Jose, Califorina 95131, USA) ,  GARDNER N. F. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Rd., San Jose, Califorina 95131, USA) ,  MUNKHOLM A. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Rd., San Jose, Califorina 95131, USA) ,  KRAMES M. R. (Philips Lumileds Lighting Co., 370 W. Trimble Rd., San Jose, Califorina 95131, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 91  Issue： 14  Page： 141101-141101-3  Publication year： Oct. 01, 2007 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoluminescence ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A1018092&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (3)： 光ルミネセンス ,  InGaN ,  Auger再結合