Art

J-GLOBAL ID：200902211152654653   Reference number：08A0859771

Selective Metal Deposition on Photoswitchable Molecular Surfaces

光によりスイッチ可能な分子表面上における選択的金属析出

Author (11)： TSUJIOKA Tsuyoshi (Osaka Kyoiku Univ., Kashiwara, JPN) ,  TSUJIOKA Tsuyoshi (JST-CREST) ,  SESUMI Yusuke (Osaka Kyoiku Univ., Kashiwara, JPN) ,  TAKAGI Rie (Osaka Kyoiku Univ., Kashiwara, JPN) ,  MASUI Kyoko (Osaka Kyoiku Univ., Kashiwara, JPN) ,  YOKOJIMA Satoshi (JST-CREST) ,  YOKOJIMA Satoshi (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center Inc., Yokahama, JPN) ,  UCHIDA Kingo (JST-CREST) ,  UCHIDA Kingo (Ryukoku Univ., Otsu, JPN) ,  NAKAMURA Shinichiro (JST-CREST) ,  NAKAMURA Shinichiro (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center Inc., Yokahama, JPN)
Material： Journal of the American Chemical Society  (J Am Chem Soc)
Volume： 130  Issue： 32  Page： 10740-10747  Publication year： Aug. 13, 2008 
JST Material Number： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *optical switch ,  *olefin compound ,  *aromatic hydrocarbon ,  *thin film ,  ultraviolet irradiation ,  photocyclization ,  visible light ,  ring-opening reaction ,  pattern formation ,  laser beam ,  *vapor deposition ,  Magnesium ,  glass transition point ,  *diarylethene
Semi thesaurus term： laser beam ,  photocyclization

JST classification (3)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Photochemical reaction,radical reaction  (CF02090A) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (2)： 4,4′′-(Hexafluorocyclopentene-1,2-diyl)bis[5-methyl-5′-(trimethylsilyl)-2,2′-bithiophene] ,  5H-4,4,5,5,6,6-Hexafluoro-2,8-bis[5-(trimethylsilyl)-2-thienyl]-9a,9b-dimethyl-1,9-dithia-4,6,7,8,9a,9b-hexahydro-1H-trindene

Terms in the title (2)： 分子表面 ,  析出