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J-GLOBAL ID：200902212403615284   Reference number：07A0039612

21-GHz-Bandwidth Germanium-on-Silicon Photodiode Using Thin SiGe Buffer Layers.

SiGeの薄いバッファ層を利用した帯域幅21GHzのゲルマニウムオンシリコンフォトダイオード

Author (8)： HUANG Zhihong (Univ. Texas, TX, USA) ,  KONG Ning (Univ. Texas, TX, USA) ,  GUO Xiangyi (Univ. Texas, TX, USA) ,  LIU Mingguo (Univ. Texas, TX, USA) ,  DUAN Ning (Univ. Texas, TX, USA) ,  BECK Ariane L (Univ. Texas, TX, USA) ,  BANERJEE Sanjay K (Univ. Texas, TX, USA) ,  CAMPBELL Joe C (Univ. Texas, TX, USA)
Material： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE J Sel Top Quantum Electron)
Volume： 12  Issue： 6,Pt.2  Page： 1450-1454  Publication year： Nov. 2006 
JST Material Number： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photodiode ,...
Semi thesaurus term： SiGe ,...

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JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Optical integrated circuits,integrated optics  (BD06050D)

Terms in the title (3)： SiGe ,  バッファ層 ,  帯域幅