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J-GLOBAL ID：200902212769540392   Reference number：05A0921085

InAsSbN Quantum Well Laser Diodes Operating at 2-μm-Wavelength Region Grown on InP Substrates

InP基板上に成長した2-μm波長領域で動作するInAsSbN量子井戸半導体レーザ

Author (4)： KAWAMURA Yuichi (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAMURA Yuichi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  NAKAGAWA Tomokatsu (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE Naohisa (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 44  Issue： 33-36  Page： L1112-L1114  Publication year： Sep. 10, 2005 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (7)：

• 1) J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, G. L. Belenky, D. Z. Garbuzov and W. K. Chan: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3146.
• 2) W. Li, J. B. Heroux, H. Shao and W. I. Wang: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2016.
• 3) J.-S. Wang, H.-H. Lin and L.-W. Sung: IEEE J. Quantum Electron. 34 (1998) 1959.
• 4) D.-K. Shih, H.-H. Lin and Y. H. Lin: Electron. Lett. 37 (2001) 1343.
• 5) J. Wagner, D. Serries, K. Kohler, P. Ganser, M. Maier, L. Kirste and R. Kiefer: Proc. 16th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IEEE, Piscataway, NJ, 2004) p. 32.

Terms in the title (5)： InP ,  成長 ,  M波 ,  量子井戸 ,  半導体レーザ