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J-GLOBAL ID：200902212788755260   Reference number：04A0072248

Next generation electronic devices which develop the ubiquitous society. Ultra-high density magnetic memory.

ユビキタス社会を拓く次世代電子デバイス 超高密度磁気メモリ

Author (6)： ANDO YASUO (東北大 大学院工学研究科) ,  TEZUKA NOBUKI (東北大 大学院工学研究科) ,  ONO YUZO (東北大 電通研 超高密度高速知能システム実験施設) ,  KURINO HIROYUKI (東北大 大学院工学研究科) ,  KUBOTA HITOSHI (東北大 大学院工学研究科) ,  ONO HIDEO (東北大 電通研 超高密度高速知能システム実験施設)
Material： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
Volume： 43  Issue： 1  Page： 136-141  Publication year： Jan. 01, 2004 
JST Material Number： F0040A  ISSN： 0387-0774  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *magnetic memory ,...
Semi thesaurus term： クロスポイント構造 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (5)： ユビキタス社会 ,  次世代 ,  電子デバイス ,  高密度 ,  磁気メモリ