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J-GLOBAL ID：200902212885208192   Reference number：03A0411522

Effect of Be doping on the properties of GaMnAs ferromagnetic semiconductors

GaMnAs強磁性半導体の性質に及ぼすBeドーピングの効果

Author (9)： LEE S (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHUNG S J (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI I S (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  YULDESHEV S U (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  IM H (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  KANG T W (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  LIM W-L (Univ. Notre Dame, Indiana) ,  SASAKI Y (Univ. Notre Dame, Indiana) ,  FURDYNA J K (Univ. Notre Dame, Indiana)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 93  Issue： 10,Pt.3  Page： 8307-8309  Publication year： May. 15, 2003 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium compound ,...
Semi thesaurus term： *Curie point ,...

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JST classification (4)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Magnetic properties of inorganic compounds  (BM06060P) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (4)： 強磁性半導体 ,  性質 ,  Be ,  ドーピング