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J-GLOBAL ID：200902214746928213   Reference number：08A0329104

Band anticrossing in highly mismatched Sn_xGe_1-x semiconducting alloys

高度に不整合なSn_xGe_1-x半導性合金におけるバンド反交差

Author (9)： ALBERI K. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  ALBERI K. (Univ. California, California, USA) ,  BLACKSBERG J. (California Inst. Technol., California, USA) ,  BELL L. D. (California Inst. Technol., California, USA) ,  NIKZAD S. (California Inst. Technol., California, USA) ,  YU K. M. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  DUBON O. D. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  DUBON O. D. (Univ. California, California, USA) ,  WALUKIEWICZ W. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 77  Issue： 7  Page： 073202.1-073202.4  Publication year： Feb. 2008 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *tin containing alloy ,  *germanium base alloy ,  solid solution ,  germanium ,  tin ,  concentration dependence ,  *band gap ,  *spin-orbit interaction ,  valence band ,  avoided crossing ,  configuration mixing ,  incommensurability ,  photoreflectance ,  infrared spectrum

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (5)： 不整合 ,  半導性 ,  合金 ,  バンド ,  交差