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J-GLOBAL ID：200902215379641065   Reference number：04A0104424

High Breakdown Voltage AlGaN-GaN Power-HEMT Design and High Current Density Switching Behavior

高破壊電圧AlGaN-GaN電力HEMT設計と高電流密度スイッチング挙動

Author (7)： SAITO W (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKADA Y (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN) ,  KURAGUCHI M (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN) ,  TSUDA K (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN) ,  OMURA I (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OGURA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHASHI H (Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 50  Issue： 12  Page： 2528-2531  Publication year： Dec. 2003 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...
Semi thesaurus term： フィールドプレート ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： 破壊電圧 ,  AlGaN ,  GaN ,  電力HEMT ,  設計 ,  高電流密度 ,  スイッチング ,  挙動