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J-GLOBAL ID：200902215739095865   Reference number：08A0469924

21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用 第13回 SiC単結晶の溶液成長

Author (5)： KAMEI KAZUHITO (住友金属工業) ,  KUSUNOKI KAZUHIKO (住友金属工業) ,  YASHIRO NOBUYOSHI (住友金属工業) ,  OKADA NOBUHIRO (住友金属工業) ,  TANAKA TSUTOMU (住友金属工業)
Material： Optronics  (オプトロニクス)
Issue： 317  Page： 157-162  Publication year： May. 10, 2008 
JST Material Number： Y0019A  ISSN： 0286-9659  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *single crystal ,  functional material ,  *silicon carbide ,  *solution growth ,  equilibrium state ,  thermal equilibrium ,  solubility(ratio) ,  titanium ,  wafer
Semi thesaurus term： *SiC

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (7)： 21世紀 ,  機能性単結晶 ,  基礎 ,  応用 ,  SiC ,  単結晶 ,  溶液成長