Art

J-GLOBAL ID：200902216104888121   Reference number：03A0230229

A novel method to prepare wafers with very low COPs for bonded SOI.

ボンドしたSOI(絶縁層上の半導体)のために超低COP(結晶由来の微粒子)数のウエハを製作する優れた手法

Author (2)： VASAT J L (MEMC Electronic Materials Inc., Missouri) ,  TORACK T (MEMC Electronic Materials Inc., Missouri)
Material： Solid State Technology  (Solid State Technol)
Volume： 46  Issue： 3  Page： 63-64,66  Publication year： Mar. 2003 
JST Material Number： E0226A  ISSN： 0038-111X  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (10)： ボンド ,  SOI ,  絶縁層 ,  COP ,  結晶 ,  微粒子 ,  数 ,  ウエハ ,  製作 ,  手法