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J-GLOBAL ID：200902216275951913   Reference number：09A0720268

510-515 nm InGaN-Based Green Laser Diodes on c-Plane GaN Substrate

c面GaN基板上の510~515nm InGaNに基づく緑色レーザダイオード

Author (7)： MIYOSHI Takashi (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  MASUI Shingo (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  OKADA Takeshi (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  YANAMOTO Tomoya (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  KOZAKI Tokuya (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  NAGAHAMA Shin-ichi (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  MUKAI Takashi (Nichia Corp., Tokushima JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 2  Issue： 6  Page： 062201.1-062201.3  Publication year： Jun. 25, 2009 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  indium compound ,  *semiconductor laser ,  green ,  MOCVD ,  electric current ,  voltage ,  *cw laser ,  epitaxy
Semi thesaurus term： threshold current ,  threshold voltage

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (7)：

• KOZAKI, T. Proc. SPIE. 2006, 6133, 613306
• GAINES, J. M. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 2462
• HAASE, M. A. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2315
• OKAMOTO, K. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 071105
• QUEREN, D. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 081119

Terms in the title (4)： GaN ,  InGaN ,  緑色レーザ ,  ダイオード