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J-GLOBAL ID：200902216284042551   Reference number：08A0187768

Novel Thin Sidewall Structure for High Performance Bulk CMOS with Charge-Assisted Source-Drain-Extension

チャージアシストソースドレイン拡張による高性能バルクCMOS用薄型サイドウォールの新規構造

Author (9)： OHTA H. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  FUKUTOME H. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  SAKUMA T. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  HATADA A. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHKOSHI K. (Fujitsu Ltd.) ,  IKEDA K. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIYASHITA T. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  MORI T. (Fujitsu Ltd.) ,  SUGII T. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 2007  Page： 98-99  Publication year： 2007 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *CMOS structure ,  *side wall ,  drain(semiconductor) ,  improvement ,  *electric resistance ,  MOSFET ,  strain ,  mobility(ratio) ,  dielectric material
Semi thesaurus term： performance improvement ,  *parasitic resistance ,  high-dielectric constant material

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 拡張 ,  バルク ,  CMOS ,  薄型 ,  サイドウォール